[发明专利]一种刻蚀装置在审
| 申请号： | 202211447504.9 | 申请日： | 2022-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN115863131A | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 蔡三勇;王兆丰;王世宽 | 申请（专利权）人： | 无锡尚积半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 苏州京昀知识产权代理事务所(普通合伙) 32570 | 代理人： | 顾友 |
| 地址： | 214135 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种刻蚀装置，包括：反应腔，所述反应腔限定出反应空间；上电极，所述上电极设置于所述反应空间中，所述上电极与至少两个输出不同功率范围的上射频电源连接；通信器，所述通信器与至少两个所述上射频电源信号连接；控制器，所述控制器与所述通信器信号连接，用于通过所述通信器向所述上射频电源发送控制信号，以切换所述上电极输出的电源功率，调整所述反应空间中等离子轰击速率。本发明实施例提供的刻蚀装置，可根据刻蚀工艺的速率需求设置输出的射频功率，自动切换至适合最佳应用范围的射频电源，切换过程无需刻蚀中断，满足单反应腔的刻蚀装置能够适应多样化的工艺需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 装置 | ||
【主权项】：
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