[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：衬底，具有隔离LDMOS区和存储器件区的第一沟槽隔离结构；栅极层，包括相连接的栅极横向部和栅极纵向部，栅极横向部从LDMOS区延伸至存储器件区，栅极纵向部位于LDMOS区的第一沟槽隔离结构中，栅极横向部与存储器件区的衬底之间夹有隧穿氧化层，栅极纵向部与LDMOS区的衬底之间夹有栅氧层；第二源极区和第二漏极区分别形成于存储器件区的栅极横向部两侧的衬底中，第二漏极区与栅极横向部之间夹有部分隧穿氧化层。本发明的技术方案使得无需在栅极层上连接栅极驱动电路来控制LDMOS器件的开和关，从而使得对LDMOS器件的开和关操作的复杂度降低，且使得DC‑DC转换器等中的电路设计的复杂度降低。