[发明专利]含有多层级电力基板的射频封装和相关联制造方法在审
| 申请号： | 202211465531.9 | 申请日： | 2022-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN116314043A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 龚志伟;李黎;李璐;L·维斯瓦纳坦;F·A·桑托斯;B·J·卡彭特 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/14 | 分类号： | H01L23/14;H01L23/13;H01L23/367;H01L23/48;H01L23/488;H01L23/495;H01L23/498 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了含有多层级电力基板的射频(RF)封装和相关联的制造方法。在实施例中，所述方法包括通过获得基底片层级来产生多层级基板片，所述基底片层级含有预制基底结构并具有供所述预制基底结构的金属表面从中暴露的表面。次级片层级形成于基底层上以包括图案化金属特征，所述图案化金属特征嵌入于次级介电体中并在直接镀覆界面处电接触所述预制基底结构的暴露的金属表面。多层级电力基板的预单分阵列被分成单分多层级电力基板，每个单分多层级电力基板包括由所述基底片层级的单分件形成的基底基板层级和由所述次级基板层级的单分件形成的次级基板层级。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 多层 电力 射频 封装 相关 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩智浦美国有限公司，未经恩智浦美国有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211465531.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
