[发明专利]一种高压LDMOS及其制造方法在审
| 申请号： | 202211465928.8 | 申请日： | 2022-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN115763523A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 令海阳 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高压LDMOS及其制造方法，基底浅区域设有相互间隔分布的第一、第二STI区；第一STI区包括多个相互间隔分布的分段结构；基底深区域设有将第一STI区包裹的漂移区；多个相互间隔分布的分段结构的底部设有浅层反型区；浅层反型区由硼离子注入形成；第一、第二STI区之间设有第一N+区，第二STI区远离第一STI区的一侧设有第二N+区；第二STI区远离第一STI区的一侧设有深阱；深阱将第二STI区的一部分包裹；深阱中设有将第二N+区包裹的N阱；第一STI区远离第二STI区的一侧设有P阱；基底上表面设有场板；P阱内还设有P+区和第三N+区。本发明的LDMOS采用场板STI分段和STI后的硼离子注入；高压NLDMOS结构可以同时提高低导通电阻和高耐压的性能，改善了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 ldmos 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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