[发明专利]具有不同过孔和金属选择性沉积的交错的且垂直间隔开的集成电路线金属化在审
| 申请号： | 202211467313.9 | 申请日： | 2022-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN116344499A | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | E·卡尔波夫;M·雷什奥特克;S·B·格伦迪宁;J-R·陈;M·梅茨 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 舒雄文 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 相邻互连线处于交错的并且垂直间隔开的位置，这相应减小了其在互连金属化的一个层级之内的电容耦合。矮的和高的互连过孔开口着陆于垂直交错的互连线上。在交错互连线中的上方互连线上选择性沉积的帽盖材料限制了矮过孔的过刻蚀，而使得高过孔朝向交错互连线中的下方互连线前进。不同深度的过孔开口可以例如利用单镶嵌金属化工艺填充，为交错的并且垂直间隔开的互连线上方的所有过孔金属化限定共面顶表面。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 不同 金属 选择性 沉积 交错 垂直 间隔 集成 路线 金属化 | ||
【主权项】：
暂无信息
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