[发明专利]空白掩模、空白掩模成膜装置及空白掩模的制造方法在审
| 申请号： | 202211472819.9 | 申请日： | 2022-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN116339064A | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 李乾坤;崔石荣;李亨周;金修衒;孙晟熏;金星润;郑珉交;曹河铉;金泰完;申仁均 | 申请（专利权）人： | SKC索密思株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/26 | 分类号： | G03F1/26;G03F1/32;G03F1/34;G03F1/68;H05B3/00 |
| 代理公司： | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人： | 洪玉姬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本实施方式提供一种空白掩模和与其相关的成膜装置，上述空白掩模包括：透光基板，遮光膜，设置在上述透光基板上，以及相移膜，设置在上述透光基板和上述遮光膜之间；上述空白掩模包括：中心测定区域，以上述遮光膜的中心为基准，以及边缘测定区域与上述遮光膜的边缘相距20mm，上述中心测定区域和边缘测定区域分别为边长为20μm的正方形，上述空白掩模具有在上述中心测定区域测定的中心Rz粗糙度，上述空白掩模具有在上述边缘测定区域测定的边缘Rz粗糙度，由下述第1‑1式表示的Rz粗糙度不均匀度为20％以下：第1‑1式：Rz粗糙度不均匀度＝(中心Rz粗糙度与边缘Rz粗糙度之差的绝对值/中心Rz粗糙度)×100％。 | ||
| 搜索关键词： | 空白 掩模成膜 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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