[发明专利]一种半导体晶片的CMP装置和方法在审
| 申请号： | 202211480328.9 | 申请日： | 2022-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN115816285A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 徐新华 | 申请（专利权）人： | 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/005 | 分类号： | B24B37/005;B24B49/02;B24B37/015;B24B37/10;B24B7/22;B08B3/02;H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司： | 杭州融方专利代理事务所(普通合伙) 33266 | 代理人： | 沈相权;詹雨露 |
| 地址： | 311201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体晶片的CMP的方法，包括以下步骤：通过摄像设备获取半导体晶片的照片，获取到半导体晶片的面积Sb；以及获取到半导体晶片上的凸点的信息；当得到半导体晶片CNP信号时，启动抛光模块对半导体晶片进行抛光处理，并对半导体晶片的抛光工艺进行实时监测；当得到CMP正常信号时，保证其抛光设备正常工作，当得到CMP不正常信号时，对抛光设备进行工艺参数调整，本发明避免对不合格半导体晶片进行抛光处理，影响生产半导体晶片机械抛光的效率，以及在抛光时，处于合理的工艺范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 晶片 cmp 装置 方法 | ||
【主权项】：
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