[发明专利]负载金纳米粒子的氧掺杂超薄多孔氮化硼薄膜电极及其制备方法在审
| 申请号： | 202211490452.3 | 申请日： | 2022-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN115763084A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 李忠武;彭博;聂小东;刘窑军;杨沐毅 | 申请（专利权）人： | 湖南师范大学 |
| 主分类号： | H01G9/20 | 分类号： | H01G9/20;H01G9/042;C01B21/064 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 何文红 |
| 地址： | 410081 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种负载金纳米粒子的氧掺杂超薄多孔氮化硼薄膜电极及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：按照质量比为1∶3～6∶0.25～0.35，将硼酸、尿素、草酸制备氧掺杂超薄多孔氮化硼，然后将金纳米粒子负载氧掺杂超薄多孔氮化硼上并涂覆到导电基底上形成薄膜电极。本发明制备的负载金纳米粒子的氧掺杂超薄多孔氮化硼薄膜电极具有比表面积大、电子空穴分离效率高、电子传送速率快等优点，是一种光电性能优异的新型薄膜电极，符合实际生产需求，在光电化学领域具有广阔的应用前景。本发明制备方法还具有工艺简单、操作方便、制备效率高、成本低廉等优点，适合于大规模制备，利于工业化应用。 | ||
| 搜索关键词： | 负载 纳米 粒子 掺杂 超薄 多孔 氮化 薄膜 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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