[发明专利]每存储器单元具有斜对栅极对的存储器装置在审
| 申请号： | 202211490921.1 | 申请日： | 2022-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN116322027A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | G·塞尔瓦利;M·马里亚尼;A·里加诺;M·卡拉布雷塞 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 任超 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及每存储器单元具有斜对栅极对的存储器装置。本文中描述的实施方案涉及各种结构、集成组合件及存储器装置。在一些实施方案中，一种集成组合件包含支柱，其具有上源极/漏极、中间源极/漏极、下源极/漏极、所述上源极/漏极与所述中间源极/漏极之间的上沟道及所述中间源极/漏极与所述下源极/漏极之间的下沟道。所述集成组合件包含包括第一栅极及第二栅极的栅极对。所述第一栅极定位于所述支柱的第一侧上的第一高度处，且所述第二栅极定位于与所述第一侧相对的所述支柱的第二侧上的不同于所述第一高度的第二高度处。所述集成组合件包含与所述上源极/漏极电耦合的电容器。一些实施方案包含形成所述各种结构、集成组合件及存储器装置的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 单元 具有 栅极 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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