[发明专利]插入结构和包括该插入结构的半导体封装在审

专利信息
申请号: 202211500173.0 申请日: 2022-11-28
公开(公告)号: CN116190345A 公开(公告)日: 2023-05-30
发明(设计)人: 张宇珹;朴媛智;安正勋;吴在熙;金知炯;丁少锋;洪锡俊;黄帝官 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/522 分类号: H01L23/522;H01L23/528
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 屈玉华
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了一种插入结构和包括其的半导体封装,该插入结构包括:插入基板;在插入基板的上表面上的层间绝缘层;在层间绝缘层内的电容器结构;在垂直方向上穿透层间绝缘层的第一通路,第一通路连接到电容器结构;在层间绝缘层上的绝缘层;在垂直方向上穿透绝缘层的第二通路,第二通路连接到第一通路;以及贯穿通路,在垂直方向上完全穿透插入基板、层间绝缘层和绝缘层中的每个,贯穿通路的上表面与第二通路的上表面共面。
搜索关键词: 插入 结构 包括 半导体 封装
【主权项】:
暂无信息
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