[发明专利]一种三相桥电路的陶瓷封装工艺在审
| 申请号： | 202211504007.8 | 申请日： | 2022-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN115910804A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 辛显镕;崔怀军 | 申请（专利权）人： | 西安广勤电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/60;H01L21/50;H01L21/66 |
| 代理公司： | 西安智艺浩晖专利代理事务所(普通合伙) 61274 | 代理人： | 史艳艳 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市市辖区高新*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三相桥电路的陶瓷封装工艺，包括以下步骤：S1.陶瓷基板与外壳成型：使用包含氧化铝和氧化铍的无机材料以及有机材料烧结成陶瓷基板；将陶瓷生片在氮氢混合气中进行烧结，烧结后制成外壳；S2、管座上涂胶与贴片：使用点胶机点胶，将芯片贴在基板上，并在指定温度的环境下固化0.5‑1.5h；S3.等离子清洗：通过等离子清洗机对固化后的管座进行清洗；本发明的有益效果是：封装材料使用氧化铝(AL2O3)、氧化铍(BeO)等材料,这类材料的热导率很高，介电常数低，适用于高频三相桥大功率电路；该封装具有气密性很好，有足够高的机械强度，表面光滑，绝缘破坏电压高，在高温度，大湿度的条件下可以保证产品的性能稳定等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三相 电路 陶瓷封装 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
