[发明专利]一种非均匀性校正单个偏移参数的校正算法在审
| 申请号： | 202211511725.8 | 申请日： | 2022-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN115752759A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 宋鸿飞;张馨壬;曹文晓;张科航;谭文;郭飞;周见红;孟颖;闫钰锋;李鹏飞;张云朋;王子乾 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | G01J5/90 | 分类号： | G01J5/90;G06F17/10 |
| 代理公司： | 合肥左心专利代理事务所(普通合伙) 34152 | 代理人： | 朱磊 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及红外焦平面阵列非均匀性校正设计技术领域，且公开了一种非均匀性校正单个偏移参数的校正算法，利用标准校正参考源提供给非制冷红外焦平面阵列均匀入射辐射通量，测量每个探测单元输出响应，并按照线性假设条件对非制冷红外焦平面阵列的响应曲线进行拟合输出非均匀校正参数，通过构造像元响应模型中单偏移校正参数存储模型、把单偏移参数存储模型聚合生成复合校正存储模型，根据像元和采集数据地址获取复合校正存储模型，从复合校正存储模型中提取单偏移校正参数存储模型，从单偏移校正参数存储模型中提取单个校正偏移参数，整个提取过程经过若干次的识别确认，有效地保证了非制冷红外焦平面阵列上任一探测单元校正结果的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 均匀 校正 单个 偏移 参数 算法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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