[发明专利]一种不同电压应用的LDMOS寄生电容建模方法在审
| 申请号： | 202211511954.X | 申请日： | 2022-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN115983176A | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 王亚杰;王正楠;张昊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367;G06F30/33 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑星 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种不同电压应用的LDMOS寄生电容建模方法，包括如下步骤：步骤S1，基于现有不同应用电压LDMOS的SPICE模型为基准，提取不同应用电压下的LDMOS的栅漏寄生电容(Cgd)；步骤S2，基于对LDMOS器件结构和栅漏寄生电容Cgd的分析，将栅漏寄生电容(Cgd)划分为沟道电容(cgdc)和覆盖电容(cgdov)，并构建得到相应的数学拟合公式；步骤S3，基于沟道电容(cgdc)与覆盖电容(cgdov)的数学拟合公式得到栅漏寄生电容(Cgd)的拟合公式，并对步骤S1所获取的数据重新进行拟合以更新栅漏寄生电容(Cgd)拟合公式的系数，从而建立新的SPICE模型。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 不同 电压 应用 ldmos 寄生 电容 建模 方法 | ||
【主权项】：
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