[发明专利]衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质在审
| 申请号： | 202211515898.7 | 申请日： | 2022-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN116246942A | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 中谷公彦;山本隆治 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 牛蔚然 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。本发明提供能够在所期望的表面上以高精度选择性地形成膜的技术。其具有：(A)通过向具有第一表面和第二表面的衬底供给改性剂，从而在前述第一表面形成抑制剂层的工序；和(B)通过向在前述第一表面形成前述抑制剂层后的前述衬底供给成膜剂，从而在前述第二表面上形成膜的工序。以使得在将构成前述抑制剂层的抑制剂分子的宽度设为WI、将前述第一表面的吸附位点的间隔设为DA、将构成前述成膜剂中所含的特定物质的分子X的宽度设为WP的情况下，WI小于DA时满足WP＞DA‑WI，WI大于DA时满足WP＞DAx‑WI(x为满足WI＜DAx的最小的整数)。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 方法 半导体器件 制造 装置 记录 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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