[发明专利]一种隧穿型背接触异质结太阳能电池及其制作方法在审
| 申请号： | 202211531546.0 | 申请日： | 2022-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN115763609A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 林锦山;谢志刚;张超华;廖培灿;黄晓狄;黄天福 | 申请（专利权）人： | 福建金石能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0747 | 分类号： | H01L31/0747;H01L31/20 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 张娟娟 |
| 地址： | 362200 福建省泉州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种隧穿型背接触异质结太阳能电池的制作方法，硅片背面划分为第一半导体区、第二半导体区以及位于第一半导体区和第二半导体区之间的隔离区；该制作方法包括如下步骤，A.在硅片背面形成背面钝化层；B.在背面钝化层上形成绝缘膜层；C.去除第一半导体区上的绝缘膜层，以形成第一半导体区开口；D.在硅片背面形成第一导电型的第一半导体膜层；E.去除第二半导体区上的第一半导体层和绝缘膜层，以形成第二半导体区开口；F.在硅片背面形成第二导电型的第二半导体膜层。本发明的目的在于提供一种隧穿型背接触异质结太阳能电池及其制作方法，其能极大缩短制造流程，生产成本降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 隧穿型背 接触 异质结 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建金石能源有限公司，未经福建金石能源有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211531546.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
