[发明专利]一种带有沟槽的碳化硅积累态MOSFET制备方法在审
| 申请号： | 202211540901.0 | 申请日： | 2022-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN115775735A | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 黄传伟;李健;夏华忠 | 申请（专利权）人： | 江苏东海半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/67 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，具体的说是一种带有沟槽的碳化硅积累态MOSFET制备方法，包括台柱，所述台柱顶端安装有分盘器，所述分盘器顶端固定有四个安装架，四个所述安装架呈圆周状阵列分布，所述安装架远离台柱的一端安装有夹持组件，所述夹持组件用以夹持MOSFET，所述台柱外部分别设置有送料架、刻蚀池、喷淋架、出料架，所述夹持组件包括伸缩杆，所述伸缩杆上下两端均固接有L形的连接杆，一对所述连接杆的安装方向相反；通过设置四个工位的方式，可以在刻蚀作业的过程中即可完成上料、清洗、下料作业，无需等待单个MOSFET彻底处理完成后才进行下一步作业，节约了大量的等待时间，实现了不间断的自动化刻蚀作业，提高MOSFET的生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 带有 沟槽 碳化硅 积累 mosfet 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏东海半导体股份有限公司，未经江苏东海半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211540901.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
