[发明专利]半导体器件的制作方法、半导体器件以及晶体管有效
| 申请号： | 202211546019.7 | 申请日： | 2022-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN115547931B | 公开（公告）日： | 2023-02-14 |
| 发明（设计）人： | 李杨;许春龙;孟娟 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 王晓玲 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种半导体器件的制作方法、半导体器件以及晶体管，该方法包括：首先，提供包括相邻的第一区域以及第二区域的基底，第一区域包括间隔设置的多个第一子区域以及间隔设置的多个第二子区域；然后，对多个第一子区域以及第二区域进行第一预定处理，且使得第二区域的部分形成预备掺杂区域；之后，对多个第二子区域以及预备掺杂区域进行第二预定处理，使得多个第二子区域形成第二掺杂区域，预备掺杂区域形成目标掺杂区域；最后，在基底的部分表面上形成第一器件层，得到第一器件，且在基底的部分表面上形成第二器件层，得到第二器件。保证了第二器件的开启电压较小，保证了半导体器件的性能较好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 以及 晶体管 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
