[发明专利]一种大规模集成电路用超高纯钼粉及其制备方法

摘要

一种大规模集成电路用超高纯钼粉制备方法，包括以下步骤：采用结晶法制备的仲钼酸铵为原材料，化学分子式为(NH4)6Mo7O24·4H2O；通过原材料仲钼酸铵放入管状炉内加热，MoO3加入氨水进行浸取，形成钼酸铵溶液；将所得钼酸铵溶液进行两级过滤以去除杂质；蒸发结晶；结晶干燥；二次提纯等工序。本发明所提供的大规模集成电路用超高纯钼粉的制备方法，工艺简单，效率高，易于实现工业化生产。生产过程中可不仅可将原料中的杂质元素充分排出，并且避免了工艺过程中的二次污染，制备的钼粉纯度高，完全复合大规模集成电路的要求。所制得的超高纯钼粉，纯度大于99.999％，且关键杂质元素含量低，是制备大规模集成电路用钼溅射靶材的理想原料。