[发明专利]一种光电耦合器制造方法及光电耦合器在审
| 申请号： | 202211556729.8 | 申请日： | 2022-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN116092954A | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 祁山;申广;何懿德 | 申请（专利权）人： | 深圳瑞沃微半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/538;B33Y10/00;B33Y80/00 |
| 代理公司： | 深圳市智胜联合知识产权代理有限公司 44368 | 代理人： | 王月 |
| 地址： | 518054 广东省深圳市福田区莲花街道福中*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种光电耦合器制造方法及光电耦合器，本申请提供了通过增材制造方式将所述第一芯片的底部电极进行生长，得到第一底部延长面，并在所述第一底部延长面的同一平面设置第一顶部延长面、第二底部延长面和第二顶部延长面；通过增材制造方式将所述第一芯片的顶部电极与所述第一顶部延长面进行连接，得到第一导电通路；通过增材制造方式将所述第二顶部延长面和所述第二芯片的顶部电极进行连接，得到第二导电通路；通过增材制造方式将所述第二底部延长面和所述第二芯片的底部电极进行连接，得到第三导电通路。实现了发射芯片和接收芯片的最佳反应效果，提高了产品的一致性和稳定性，免基板封装，实现了小型化、超薄化封装形式。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光电 耦合器 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳瑞沃微半导体科技有限公司，未经深圳瑞沃微半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211556729.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
