[发明专利]LDMOS器件及其设计版图、形成方法在审
| 申请号： | 202211565360.7 | 申请日： | 2022-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN115832056A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 段文婷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L27/02;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张英英 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种LDMOS器件及其设计版图、形成方法，LDMOS器件包括：半导体衬底；第一掺杂类型的埋层，位于所述半导体衬底内；第二掺杂类型的阱区，位于所述埋层内；第一掺杂类型的源区，位于所述阱区内；全包围所述阱区的第一掺杂类型的漏区，位于所述埋层内；第二掺杂类型的隔离区，所述第二掺杂类型的隔离区的至少一部分位于第一方向的漏区与阱区之间的埋层内；其中，所述第一方向平行于所述半导体衬底的表面，且平行于所述LDMOS器件的沟道方向。本发明可以有效改善器件的BV，提高半导体器件的品质。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 及其 设计 版图 形成 方法 | ||
【主权项】：
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