[发明专利]一种集成惯性传感器和磁传感器的封装结构及其封装方法在审

专利信息
申请号: 202211574459.3 申请日: 2022-12-08
公开(公告)号: CN115973990A 公开(公告)日: 2023-04-18
发明(设计)人: 郭亚;刘尧青;刘海东;储莉玲 申请(专利权)人: 美新半导体(无锡)有限公司
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00;B81C3/00
代理公司: 苏州简理知识产权代理有限公司 32371 代理人: 庞聪雅
地址: 214000 江苏省无锡*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种集成惯性传感器和磁传感器的封装结构及其封装方法,集成惯性传感器和磁传感器的封装结构包括:第一半导体圆片,其正面设置有磁传感器,其背面设置有第一空腔和贯穿第一半导体圆片的导电窗口;第二半导体圆片,其正面与第一半导体圆片的背面相对且相互键合,第二半导体圆片的正面与第一空腔的相对位置处设置有第三空腔和惯性传感器;第二半导体圆片的正面与导电窗口的相对位置处设置有金属焊盘。与现有技术相比,本发明通过WLP扇出型的封装方式,将惯性传感器和磁传感器传感器集成到一个封装体内部,一方面可以缩短产品的加工周期,降低了加工成本;另一方面,产品的集成度更高,减小了封装体积,应用前景更广泛。
搜索关键词: 一种 集成 惯性 传感器 封装 结构 及其 方法
【主权项】:
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