[发明专利]热电子晶体管及其制备方法、肖特基势垒高度提取方法在审
| 申请号： | 202211574769.5 | 申请日： | 2022-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN116093149A | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 开媛;江潮 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L29/73;H01L21/331;H01L29/24 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李正 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种热电子晶体管及其制备方法、肖特基势垒高度提取方法，热电子晶体管包括发射极、基极及集电极，在发射极与基极之间设置有隧穿势垒层，在基极与集电极之间设置有无机半导体层。本发明的热电子晶体管在发射极与基极之间设置有隧穿势垒层，在基极与集电极之间设置有无机半导体层，本发明利用隧穿势垒层隔断发射极和基极，达到了精准控制隧穿势垒层厚度的效果。与传统制备肖特基二极管以及肖特基薄膜晶体管的方法相比，这样的热电子晶体管采用热电子能谱的方法提取铟镓锌氧化合物无机半导体层与金属基极的肖特基势垒，考虑到了界面态和体电阻对势垒高度的影响，得到的结果也更为准确。 | ||
| 搜索关键词： | 热电子晶体管 及其 制备 方法 肖特基 势垒高度 提取 | ||
【主权项】：
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