[发明专利]屏蔽栅场效应晶体管有效
| 申请号： | 202211576163.5 | 申请日： | 2022-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN115588695B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 钱振华;康子楠;陈霞;张子敏;吴飞;钟军满 | 申请（专利权）人： | 无锡先瞳半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳市恒程创新知识产权代理有限公司 44542 | 代理人： | 戴圆圆 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种屏蔽栅场效应晶体管，该屏蔽栅场效应晶体管包括基本单元、屏蔽栅沟槽以及源极接触层；相邻的基本单元之间接触设置；基本单元内设有多个屏蔽栅沟槽；源极接触层设置于相邻的屏蔽栅沟槽之间，且设置方向与屏蔽栅沟槽的方向相同；设置在不同的基本单元中的屏蔽栅沟槽的方向不同。本发明通过在不同的基本单元中的屏蔽栅沟槽的方向不同，避免了现有的SGT的条形沟槽在一个方向上延伸，减轻了材料之间积累较大应力所导致的晶圆出现翘曲的现象，提高了芯片性能。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
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