[发明专利]一种氮化铝基板及其制备方法在审
| 申请号： | 202211577876.3 | 申请日： | 2022-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN115724665A | 公开（公告）日： | 2023-03-03 |
| 发明（设计）人： | 于洪宇;谭飞虎;陈玉鹏;熊子龙;薛文卓 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/581 | 分类号： | C04B35/581;C04B35/622;C04B35/645;C04B41/89;C04B41/88;H01L23/373;H05K7/20 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 宋家会 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种氮化铝基板及其制备方法，属于半导体的散热技术领域。氮化铝基板包括氮化铝陶瓷板，且氮化铝陶瓷板的化学成分含有金属钼和氮化铝，金属钼与氮化铝的体积之比的比值为3‑8％。本申请提供的氮化铝陶瓷板具有2.7‑3.2ppm/℃的较低的热膨胀系数，和大于150W/mk的较高的热传导系数。利用本申请提供的氮化铝陶瓷基板进行芯片的散热，可以在提高芯片的散热性的同时，还能减小基板与芯片之间的热应力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 铝基板 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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