[发明专利]一种光刻胶显影方法在审
| 申请号： | 202211578573.3 | 申请日： | 2022-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN116125762A | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 王晨星;杨云春;陆原;张栓;赵利芳;王维嘉;范建国;王文正 | 申请（专利权）人： | 北京海创微芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/38 | 分类号： | G03F7/38;G03F7/30 |
| 代理公司： | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人： | 王春艳 |
| 地址： | 101407 北京市怀柔区雁栖经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种光刻胶显影方法，涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种光刻胶显影方法。该方法包括，获取待显影晶圆，待显影晶圆为具有光刻胶膜的晶圆；根据光刻胶膜的膜厚，对待显影晶圆进行曝光；根据预设烘烤温度和预设烘烤距离，对待显影晶圆进行烘烤处理，预设烘烤温度随烘烤时间先增大后减小，预设烘烤距离随所述烘烤时间先减小后增大；对待显影晶圆执行显影工艺。该方法能够在曝光后显影过程中，改善待显影晶圆的受热方式，提升对光刻胶膜的烘烤效果，降低光刻胶膜出现缺陷的可能性，有利于避免非曝光区域的流膜率过大，并防止光刻胶膜发生大幅形变，降低图像失真的可能性，为显影图像的分辨率提供可靠保障。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 显影 方法 | ||
【主权项】：
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