[发明专利]边缘环位置偏差标定调整方法在审
| 申请号： | 202211583720.6 | 申请日： | 2022-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN115831820A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 杨洪军;朱红波;苏小鹏 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/68 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 刘婧 |
| 地址： | 510700 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体技术领域，公开了一种边缘环位置偏差标定调整方法，包括：设定边缘环在反应腔室的环形槽内的测试状态；根据所述测试状态放置参考坐标至所述反应腔室内，且所述参考坐标与所述环形槽保持一定距离；垂直于所述参考坐标生成与所述环形槽内轮廓线相切的第一标的激光线；垂直于所述参考坐标生成与所述边缘环外轮廓线相切的第二标的激光线；获取所述第一标的激光线与所述参考坐标交汇点数值和所述第二标的激光线与所述参考坐标交汇点数值的绝对差值；基于所述绝对差值对所述边缘环的位置偏差进行标定调整。本申请极大的提高了边缘环圆心位置检测的精准性。 | ||
| 搜索关键词： | 边缘 位置 偏差 标定 调整 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
