[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202211609459.2 | 申请日： | 2022-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN116367533A | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 崔雅朗;尹燦植;柳镐仁;韩正勳 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘林果;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：有源区，由器件隔离区限定在基底中；沟槽，在第一方向上延伸以与有源区交叉；掩埋栅极结构，分别掩埋在沟槽中，并且具有位于比有源区的上表面的水平低的水平上的上表面；缓冲结构，覆盖有源区、器件隔离区和掩埋栅极结构；位线结构，在有源区上在与第一方向交叉的第二方向上延伸，并且连接到有源区；存储节点接触件，位于位线结构之间，穿过缓冲结构，并且与有源区接触；以及电容器结构，与存储节点接触件的上表面接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211609459.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
