[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管占空比控制器

摘要

本公开涉及金属氧化物半导体场效应晶体管占空比控制器。在实施例中，公开了一种包括占空比控制器的装置。占空比控制器包括调谐电路，该调谐电路包括第一场效应晶体管。第一场效应晶体管被配置为实施为电容器。占空比控制器还包括边沿延迟电路。边沿延迟电路包括第二场效应晶体管，该第二场效应晶体管在被占空比控制器的输入时钟信号激活时被配置为将电压源连接到占空比控制器的输出时钟信号。边沿延迟电路还包括第三场效应晶体管，该第三场效应晶体管在被激活时被配置为将调谐电路的所述第一场效应晶体管连接到输出时钟信号。