[发明专利]nand flash掉电测试装置、掉电测试方法及存储介质在审
| 申请号： | 202211639011.5 | 申请日： | 2022-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN115954042A | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 胡鸿源;贺乐;赖鼐 | 申请（专利权）人： | 珠海妙存科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 黄英杰 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开一种nand flash掉电测试装置、掉电测试方法及存储介质，其中，掉电测试装置包括作为掉电测试对象的Device设备和作为掉电测试机的Host设备，Device设备包括NAND Flash模组；Host设备连接NAND Flash模组，Host设备用于在raw NAND的情况下，向raw NAND发送第一驱动命令以控制raw NAND中目标物理block和/或目标page进行掉电测试；在包含闪存控制器的NAND芯片的情况下，向NAND芯片的闪存控制器发送第一指示命令以指示闪存控制器确定目标物理block和/或目标page进行掉电测试，从而提升掉电测试的命中概率以及测试效率。 | ||
| 搜索关键词： | nand flash 掉电 测试 装置 方法 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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