[发明专利]基板处理装置和基板处理方法在审
| 申请号： | 202211641335.2 | 申请日： | 2022-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN116313894A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 黑野泰友;岸本克史 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具备：腔室；基板保持部，在所述腔室的内部空间中保持具有膜的基板；加热器，对所述膜进行加热，以对所述膜进行热处理；气体分析计，具有与所述内部空间连通的气体采样部，并对所述内部空间的特定气体进行检测；气流形成部，包括供给部，所述供给部向所述内部空间供给所述非活性气体，以形成沿着所述基板的表面流动并到达所述气体采样部的非活性气体的气流；以及控制器，基于所述气体分析计的输出来判定所述膜的热处理的结束。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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