[发明专利]压力传感器的制作方法及压力传感器在审
| 申请号： | 202211695220.1 | 申请日： | 2022-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN115985851A | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 陈磊;周志健;张强;朱恩成;王栋杰;王雨晨;周汪洋 | 申请（专利权）人： | 歌尔微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/265;H01L21/22;H01L27/07;G01L19/04;G01K7/01;G01K7/16 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 胡庆 |
| 地址： | 266101 山东省青岛市崂*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种压力传感器的制作方法及压力传感器，压力传感器的制作方法包括以下步骤：提供一顶硅片，在顶硅片上形成第一掩蔽层；提供一底硅片，在底硅片上形成一空腔；将顶硅片和底硅片键合；将顶硅片减薄抛光，形成一压力传感器的感压薄膜；在感压薄膜制作第二掩蔽层，并进行光刻图形化形成图形层；通过离子注入或者扩散方式，在对应图形层的位置形成多个P型轻掺杂区；在部分P型轻掺杂区位置形成P型重掺杂区；通过离子注入或者扩散方式，形成N型重掺杂区；制作电极与N型重掺杂区和P型重掺杂区连接。该压力传感器的制作方法具有高集成度、高灵敏度、小型化，高通用性、可检测传感器温度，实时温度校准的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 压力传感器 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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