[发明专利]发光二极管及发光装置在审

专利信息
申请号: 202211723448.7 申请日: 2022-12-30
公开(公告)号: CN116111021A 公开(公告)日: 2023-05-12
发明(设计)人: 陈功;臧雅姝;陈剑斌;江宾;张中英;蔡吉明;黄少华;曾炜竣;陈思河 申请(专利权)人: 厦门三安光电有限公司
主分类号: H01L33/38 分类号: H01L33/38;H01L33/62
代理公司: 厦门加减专利代理事务所(普通合伙) 35234 代理人: 曾启航
地址: 361100 福建省厦门*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种发光二极管,其包括第一半导体层、发光层、第二半导体层、凹槽和挡体结构,第一半导体层具有相对的上表面和下表面,发光层设置在第一半导体层的上表面,第二半导体层设置在发光层之上,凹槽自第一半导体层的上表面向第一半导体层的下表面延伸,挡体结构设置在贴近于凹槽处的第一半导体层之上,其中,从发光二极管的上方朝向第一半导体层俯视,第一半导体层至少围绕凹槽的二个侧边,挡体结构与发光层彼此独立。借此,通过挡体结构的设置,既能够减少高低差,降低固晶空洞率,增加金属剥离时的接触点,便于金属剥离;还可以作为导光柱,起到反光效果,提升发光二极管的出光性能。
搜索关键词: 发光二极管 发光 装置
【主权项】:
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