[发明专利]DRAM的测试方法、装置、可读取存储介质和电子设备在审
| 申请号： | 202211726170.9 | 申请日： | 2022-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN116092570A | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 肖骏驰;顾红伟;胡晓辉;薛玉妮 | 申请（专利权）人： | 深圳市时创意电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人： | 万瑞杰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种DRAM的测试方法、装置、可读取存储介质和电子设备，所述测试方法包括对待测DRAM芯片进行写入和读取操作的步骤：写入预设数据模型，并完成一次读取，得到第一次比对结果；对所述预设数据模型取反后生成反向数据模型，并写入反向数据模型，完成一次读取，得到第二次比对结果；根据所述第一比对结果和所述第二比对结果得到所述待测试的DRAM的测试结果；其中，所述预设数据模型为01间隔型数据模型、01纵向条纹型数据模型、01横向条纹型数据模型或全0数据模型的其中一种或多种，当第一数据模型为多种时，则重复上述步骤以依次输入多种第一数据模型，得到多种比对结果。通过本申请的测试方法，可以同时检测出单cell、双cell和三cell故障。 | ||
| 搜索关键词： | dram 测试 方法 装置 读取 存储 介质 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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