[发明专利]一种全包封TO-220F二极管制造方法在审
申请号: | 202211737633.1 | 申请日: | 2022-12-31 |
公开(公告)号: | CN115881536A | 公开(公告)日: | 2023-03-31 |
发明(设计)人: | 万奎;丁伟 | 申请(专利权)人: | 常州星海电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/329 | 分类号: | H01L21/329;H01L21/56;H01L21/66 |
代理公司: | 常州市天龙专利事务所有限公司 32105 | 代理人: | 于雅洁 |
地址: | 213000 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种全包封TO‑220F二极管制造方法,具体涉及全包封技术领域,具体制造工艺步骤如下:步骤一、材料进厂检验;步骤二、划片;步骤三、上芯;步骤四、焊线;步骤五、QC检;步骤六、塑封;步骤七、后固化;步骤八、去溢料;步骤九、电镀;步骤十、剪切;步骤十一、绝缘测试;步骤十二、DC测试;步骤十三、打印;步骤十四、外观检验;步骤十五、包装;步骤十六、QA检验;步骤十七、入库。本发明生产制造方便,通过对TO‑220F产品结构的研究,解决了TO‑220F产品包封均匀性问题、塑封顶针孔填胶问题和绝缘测试问题,装配后的产品质量、电参数稳定,安全性能相对较高,抗干扰能力强。 | ||
搜索关键词: | 一种 全包封 to 220 二极管 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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