[发明专利]功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202211740275.X | 申请日： | 2022-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN116266608A | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 马诺伊·钱德里卡拉古纳森;顺·发·涅夫;德韦什·库马尔·达塔;埃里克·阿洛伊斯·格雷茨 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 谢琳 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体器件包括绝缘体上硅(SOI)衬底和并联电耦接以形成功率晶体管的晶体管单元。每个晶体管单元包括在SOI衬底的硅层中的源极区、在硅层中并邻接源极区的体区、被配置成控制体区内的沟道的栅极结构、在硅层中的漏极区以及将体区与漏极区横向分离的漂移区。每个栅极结构包括通过具有在20nm至60nm的范围内的厚度的栅极电介质与硅层分离的栅电极。每个晶体管单元的沟道的有效长度在50nm至500nm的范围内。功率晶体管具有在5V至60V的范围内的最大额定电压。还描述了制造半导体器件的对应方法。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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