[发明专利]一种提高抗单粒子性能的倒T型P+碳化硅JBS结构在审
| 申请号： | 202211740510.3 | 申请日： | 2022-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN115954344A | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 程鹏刚;唐磊;王忠芳;杨晓文;刘建军;杨庚;王昕;王晨霞;黄山圃;姚军;王健 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L29/872 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 崔方方 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高抗单粒子性能的倒T型P+碳化硅JBS结构；碳化硅N+衬底的下表面为阴极金属，碳化硅N+衬底上为N型缓冲层和N‑外延层，N型缓冲层的浓度大于N‑外延层的浓度，N‑外延层的上表面内间隔均匀分布P+，N‑外延层及P+的上表面为阳极金属。通过设置缓冲层，在单粒子辐照时，利用缓冲层对单粒子入射径迹产生的电子空穴进行平衡和再分配，减少空穴向阳极金属的收集和电子向阴极金属的收集，减少空穴在肖特基接触面的积累，并将P+结构设置为倒T型，利用倒T型P+的耗尽区有效夹断单粒子入射产生的电子‑空穴对径迹，抑制空穴在阳极金属和N‑外延层接触面的积累，防止漏电过大和烧毁。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 粒子 性能 碳化硅 jbs 结构 | ||
【主权项】：
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