[实用新型]一种双焊点半导体器件封装结构有效
| 申请号： | 202220051267.3 | 申请日： | 2022-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN217361568U | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 岳扬;田哲伟 | 申请（专利权）人： | 浙江谷蓝电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/488 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴轶淳 |
| 地址： | 314400 浙江省嘉*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种双焊点半导体器件封装结构，包括一塑封体，所述塑封体内部具有金属基板、半导体芯片和第一金属基岛；所述半导体芯片焊接于所述金属基板的上表面；所述第一金属基岛通过至少一条第一键合线与所述半导体芯片连接；其中，每条所述第一键合线具有第一焊点和第二焊点，通过所述第一焊点与所述第二焊点焊接在所述半导体芯片上。通过在芯片上增加第二焊点，增强了芯片的均流能力，提高引线键合强度，降低了电流过度集中于一点引发的热失效概率，有助于提高器件的稳定性和寿命，增加可靠性，进一步提高了产品的良品率，大幅提升器件的电压、电流导通能力，进而提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双焊点 半导体器件 封装 结构 | ||
【主权项】：
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