[实用新型]冷却装置和晶体生长设备有效
申请号: | 202220246462.1 | 申请日: | 2022-01-29 |
公开(公告)号: | CN217052483U | 公开(公告)日: | 2022-07-26 |
发明(设计)人: | 王双丽;陈俊宏 | 申请(专利权)人: | 徐州鑫晶半导体科技有限公司 |
主分类号: | C30B27/02 | 分类号: | C30B27/02;C30B27/00 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 吴婷 |
地址: | 221004 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种冷却装置和晶体生长设备,冷却装置用于晶体生长设备,且用于对晶体进行冷却,晶体的顶部具有晶冠,冷却装置包括第一冷却套和第二冷却套,第一冷却套适于与晶体生长设备的拉晶机构固定相连且罩设于晶冠上侧,在晶体生长过程中第一冷却套随拉晶机构的提升而上升,且第一冷却套的内壁面和晶体的表面间隔开,第二冷却套形成为筒状结构,在冷却装置的横截面上,第二冷却套的正投影套设于第一冷却套的正投影外,第二冷却套用于在晶体的生长过程中对晶体的不同部分进行冷却。根据本实用新型的冷却装置,有效保证晶体整个生长过程中的冷却需求,尤其是保证了晶体生长初期对晶冠的冷却需求。 | ||
搜索关键词: | 冷却 装置 晶体生长 设备 | ||
【主权项】:
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