[实用新型]一种光刻对准标记图形结构及半导体晶片有效
申请号: | 202220559379.X | 申请日: | 2022-03-11 |
公开(公告)号: | CN216902937U | 公开(公告)日: | 2022-07-05 |
发明(设计)人: | 张曼;黄浩玮;刘华龙 | 申请(专利权)人: | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 王积毅 |
地址: | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型提供一种光刻对准标记图形结构及半导体晶片,所述光刻对准标记图形结构包括多个连接凹槽,设于晶表面;多个折弯凹槽,设于所述晶圆表面;其中,相邻两个所述连接凹槽之间通过所述折弯凹槽相连,且在所述连接凹槽与所述折弯凹槽的连接处,所述连接凹槽的宽度大于所述折弯凹槽的宽度。通过本实用新型公开的一种光刻对准标记图形结构,能够有效减少在外延生长过程中产生的轮廓畸变。 | ||
搜索关键词: | 一种 光刻 对准 标记 图形 结构 半导体 晶片 | ||
【主权项】:
暂无信息
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