[实用新型]一种新型LTPO背板结构

摘要

本实用新型公开了一种新型LTPO背板结构，包括低温多晶硅半导体层，所述低温多晶硅半导体层上设有绝缘层和第一层金属栅极，所述绝缘层将第一层金属栅极和低温多晶硅半导体层隔开，所述绝缘层和第一层金属栅极外设有第一层钝化层，所述第一层钝化层上设有第二层金属，所述第二层金属与第一层金属栅极相连，所述第二层金属外设有第二层钝化层，所述第二层钝化层上设有第三层金属，所述第三层金属与第二层金属通过第二层钝化层形成像素驱动电路的储存电容，所述第三层金属上设有第三层钝化层，所述第三层钝化层上镀膜形成金属氧化物半导体，本实用新型属于背板技术领域，具体是指一种新型LTPO背板结构，功耗低稳定性好。