[实用新型]一种DDR3微组件有效

专利信息
申请号: 202220903393.7 申请日: 2022-04-19
公开(公告)号: CN217214707U 公开(公告)日: 2022-08-16
发明(设计)人: 张诚;毛臻;余国良;周军 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第五十八研究所
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065;H01L23/498
代理公司: 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 代理人: 杨立秋
地址: 214000 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型涉及一种DDR3微组件,包括塑封基板、绝缘胶、再布线后的DDR3芯片A、DDR3芯片B、金丝、塑封体以及焊球,所述的DDR3芯片A通过再布线设计将焊盘扇出至一端,DDR3芯片B通过再布线设计将焊盘扇出至另一端,所述的DDR3芯片A通过金丝以键合的方式与基板建立电气连接,并使用绝缘胶粘接在基板上。本实用新型所述的DDR3微组件,基于再布线技术改变原有DDR3裸芯的接线点位置以此适应所需要的封装结构,通过键合的方式以此为5片完成再布线后堆叠放置的DDR3芯片与塑封基板间建立物理连接,达到集成度高,以及增加元件可靠性、微小型化、低功耗。
搜索关键词: 一种 ddr3 组件
【主权项】:
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