[实用新型]一种硅平面温度补偿二极管的结构有效
| 申请号： | 202221208525.0 | 申请日： | 2022-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN217522000U | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 贺晓金;袁强;陆超;姚秋原;张浩宇;王海锐;余文兴;王博 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L29/861;H01L21/329;H01L21/48 |
| 代理公司： | 贵州派腾知识产权代理有限公司 52114 | 代理人： | 张祥军 |
| 地址： | 550018 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种硅平面温度补偿二极管的结构，包括：N+衬底；银凸点结构，两个银凸点结构分别对应位于N+衬底上下两端。硅平面温度补偿二极管的结构的N+衬底正面、背面存在银凸点结构，当硅平面温度补偿二极管的结构进行玻璃壳体封装时，阳极银凸点和阴极银凸点位于相反平面上能分别经电极引线进行封装从两端引出，使得硅平面温度补偿二极管的结构适应轴向玻璃壳体封装外形，解决了硅平面温度补偿二极管的结构正负极均为同一平面上不能满足封装要求的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 温度 补偿 二极管 结构 | ||
【主权项】：
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