[实用新型]存储电容器有效
| 申请号： | 202221295975.8 | 申请日： | 2022-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN217361631U | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 黄子伦 | 申请（专利权）人： | 苏州聚谦半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 黄海霞 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业园区星*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种存储电容器，在剖面结构上，所述存储电容器包括半导体衬底、所述半导体衬底中设有若干沟槽；所述沟槽中从下至上依次填充有绝缘层、介质层和导电层；在平面结构上，所述导电层的导电图案均呈三叉状，且所述三叉状内部利用侧壁刻蚀方法，形成一个中空而也成为导电层。该结构用以充分利用芯片面积，提升存储电容器的容量。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 电容器 | ||
【主权项】：
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