[实用新型]一种低速抗EMI的碳化硅MOSFET有效
| 申请号： | 202221732055.8 | 申请日： | 2022-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN217719614U | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 张长沙;李昀佶;单体伟 | 申请（专利权）人： | 浏阳泰科天润半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/552 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 王牌 |
| 地址： | 410300 湖南省长沙市浏阳高新技*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种低速抗EMI的碳化硅MOSFET，包括：漂移层设于碳化硅衬底上侧面，漂移层上设有第一通孔；基区设于漂移层上，基区上设有第二通孔，第一通孔与第二通孔连接，基区上设有沟槽；栅极绝缘层为凹字形，且栅极绝缘层设于第一通孔以及第二通孔内，且栅极绝缘层底部连接至碳化硅衬底上侧面；源区设于基区的沟槽内；栅电极延伸区设于栅极绝缘层内；源极金属层连接至源区；栅极金属层连接至栅电极延伸区；漏极金属层连接至碳化硅衬底下侧面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低速 emi 碳化硅 mosfet | ||
【主权项】：
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