[实用新型]半导体装置有效
| 申请号： | 202221764028.9 | 申请日： | 2022-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN218241857U | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 范玮寒;林家彬;李威养;邱子华;郑宽豪;林柏劭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置，包括通道构件的垂直堆叠物，置于基底的上方；栅极结构，包覆通道构件的垂直堆叠物的每个通道构件的周围；以及源极/漏极部件，置于基底的上方并耦接于通道构件的垂直堆叠物。源极/漏极部件是通过第一空气间隙与第一栅极介电层而与栅极结构的侧壁隔开，而第一空气间隙延伸至源极/漏极部件中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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