[实用新型]新型屏蔽栅沟槽MOSFET有效
| 申请号： | 202221823517.7 | 申请日： | 2022-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN217903126U | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 白羽 | 申请（专利权）人： | 扬杰科技（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京国科程知识产权代理事务所(普通合伙) 11862 | 代理人： | 曹晓斐 |
| 地址： | 214063 江苏省无锡市滨*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种新型屏蔽栅沟槽MOSFET，属于半导体技术领域。该MOSFET包括：衬垫氧化层，其生长覆盖在沟槽的表面和外延层的表面；氮化硅层，其生长覆盖在衬垫氧化层的表面；场介质层，其生长覆盖在氮化硅层的表面；源极多晶硅，其填充在位于沟槽内的场介质层上，对源极多晶硅进行一次回蚀，使得源极多晶硅的高度小于沟槽的深度，通过回蚀将裸露的场介质层移除，通过二次回蚀将源极多晶硅与未移除的场介质层齐平；隔离氧化层，其在源极多晶硅的顶部氧化形成，并将氮化硅层的上半部分刻蚀掉，直至与隔离氧化层齐平。本申请能够增加隔离氧化层的厚度，优化输入电容，保持器件长期可靠性，且制造成本低，利于大批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 屏蔽 沟槽 mosfet | ||
【主权项】：
暂无信息
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