[实用新型]一种沟槽型大功率MOSFET器件有效
| 申请号： | 202221909877.9 | 申请日： | 2022-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN218351450U | 公开（公告）日： | 2023-01-20 |
| 发明（设计）人： | 王明明 | 申请（专利权）人： | 江苏东海半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373;H01L23/40 |
| 代理公司： | 无锡风创知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32461 | 代理人： | 徐杰成 |
| 地址： | 214000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及MOSFET器件技术领域，且公开了一种沟槽型大功率MOSFET器件，包括器件主体和均热板，所述器件主体的一侧固定有若干引脚，所述引脚的数量为三个，所述器件主体的另一侧固定有金属板，所述金属板的内部开设有通孔，所述金属板的前后两侧均开设有凹槽，所述引脚的表面活动连接有密封罩，所述密封罩的内侧固定有密封板，所述密封板的两侧均固定有弹片，所述器件主体的两侧均固定有限位块，所述弹片与限位块活动连接；本实用新型具备可以对器件的引脚进行密封保护，并且在运行时可以提高器件散热速度和均匀性的优点，解决了现有的MOSFET器件在长时间存放时引脚容易受到外界液体的腐蚀，造成引脚损毁从而无法使用的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 大功率 mosfet 器件 | ||
【主权项】：
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