[实用新型]一种湿法刻蚀装置有效
| 申请号： | 202222179193.4 | 申请日： | 2022-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN218160283U | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 沈云清;刘长伟;李朋;王石磊 | 申请（专利权）人： | 宁波润华全芯微电子设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 浙江中桓凯通专利代理有限公司 33376 | 代理人： | 刘潇 |
| 地址： | 315400 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种湿法刻蚀装置，包括：晶圆平台；第一升降组件，所述第一升降组件用于控制所述晶圆平台升降；至少三个挡液罩，所述挡液罩依次套设，其中，最内侧的所述挡液罩包围形成刻蚀加工腔体，所述晶圆平台位于所述刻蚀加工腔体内，相邻的所述挡液罩之间形成集液腔体，最内侧的所述挡液罩顶部设有第一密封部，其余所述挡液罩顶部设有第二密封部，所述第一密封部和所述第二密封部依次堆叠以密封所有所述集液腔体；多个第二升降组件，除最外侧的所述挡液罩以外，其余所述挡液罩均通过至少一个所述第二升降组件进行升降。本实用新型解决了回收不同液体时进液入口不能灵活调节的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 湿法 刻蚀 装置 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
