[实用新型]一种基于砷化镓工艺的偏置电路及射频放大器有效
| 申请号： | 202222242310.7 | 申请日： | 2022-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN218976654U | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 朱志锐;潘茂林 | 申请（专利权）人： | 南京元络芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/02 | 分类号： | H03F1/02;H03F3/189 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 210031 江苏省南京市江北*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了控制电路领域的一种基于砷化镓工艺的偏置电路及射频放大器，包括：晶体管M0、晶体管M2和晶体管M3；晶体管M0的D端依次电路连接电阻R0和电源电压VDD；晶体管M0的G端依次电路连接电阻R2、电阻R3和晶体管M2的D端；晶体管M2的S端与工作电路连接；晶体管M2的G端依次电路连接电阻R4和控制信号Vctrl的输入端；分支电路上设有电阻R1；所述分支电路连接至所述晶体管M0的D端；所述晶体管M0的S端与所述晶体管M3的D端电路连接；所述晶体管M3的G端依次电路连接电阻R5和控制信号Vctrl的输入端；本实施例在工作电路关断时，降低偏置电路中的电流以节约电能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 砷化镓 工艺 偏置 电路 射频放大器 | ||
【主权项】：
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