[实用新型]半导体存储器件

摘要

本实用新型公开了一种半导体存储器件，包括衬底，电阻结构，位线结构，与位线触点。衬底包括有源区与多个绝缘区。电阻结构设置在绝缘区上，并包括第一半导体层，第一盖层，与第一间隙壁。位线结构设置在衬底上、横跨有源区与绝缘区，并包括第二半导体层，第一导电层，第二盖层，与第二间隙壁。位线触点设置在衬底内并部分伸入第二半导体层，其中，位线触点与第一半导体层包括彼此相同的半导体材质。由此，可在简化制作工艺的前提下形成兼具结构可靠度与稳定表面电阻值的电阻器。